戰后半個(gè)世紀是現代科技高速發(fā)展的時(shí)期,人類(lèi)經(jīng)過(guò)半個(gè)世紀的努力,無(wú)論在農業(yè)、工業(yè)、醫藥、生物、宇宙探索、環(huán)境以及基本理論研究等方面,都取得了偉大的成就。材料的高純度、產(chǎn)品的高精度及高可靠性是這一時(shí)期科技發(fā)展的特點(diǎn)。超微細加工、裝配和測試,對諸如空氣潔凈、防微振、防電磁干擾、低噪聲以及對超純水、超純氣體等的嚴格要求,使由此產(chǎn)生的環(huán)境控制學(xué)得到了迅速發(fā)展?？刂莆⒄駝?dòng)即防微振,是環(huán)境控制的一個(gè)重要組成部分。防
微振的重要性體現在各行各業(yè):例如感光化學(xué)工業(yè),彩色膠片乳劑層14個(gè)涂層總厚度僅19μm,在涂布過(guò)程中由于微小的振動(dòng)將使乳劑涂層厚薄不勻,在膠片上產(chǎn)生橫紋;在慣導技術(shù)方面,為了提高導彈的打擊精度,準確命中目標,需要對陀螺儀、加速度計及組合制導(衛星、導航、地形匹配及景物匹配)系統的精度提出高的要求,這種高精度慣導系統的調試和檢測,必須在極為寧靜的環(huán)境中進(jìn)行;對于微電子工業(yè),線(xiàn)寬0.1μm(4G DRAM)產(chǎn)品已進(jìn)人市場(chǎng),硅片加工中的光刻工序對微振動(dòng)的控制要求極為嚴格;其他如精密機械加工、光學(xué)器件檢測、激光實(shí)驗、超薄金屬軋制以及理化實(shí)驗等都需要對微振動(dòng)進(jìn)行控制。
在集成電路的制造過(guò)程中,被加工的是單一的硅片,從原材料到產(chǎn)品需要進(jìn)行幾百道物理、化學(xué)加工工序,其間如果遭受污染,就會(huì )引起產(chǎn)品大量報廢,例如64 MDRAV,在制造過(guò)程中,空氣中塵埃粒徑應被控制在0.035μm以下;環(huán)境微振動(dòng)值應控制在4.5X10-3mm/s以下,在光刻工序,很小的微振動(dòng)會(huì )引起對位不準,影響產(chǎn)品的成品率。
為了滿(mǎn)足集成電路日益精細的加工要求,各國在微污染控制技術(shù)領(lǐng)域內投入了可觀(guān)的人力、物力進(jìn)行系統研究,取得了大量科技成果,涌現了一批高科技產(chǎn)品,諸如超高效過(guò)濾器(過(guò)濾效率達99.9999%)的問(wèn)世及ISO3級(0.1μm)潔凈室的建立;超純水及超純氣體的應用;隧道式潔凈室及微環(huán)境系統潔凈室的出現和使用,大大降低了污染。在防微振領(lǐng)域,從廠(chǎng)房結構形式、動(dòng)力設備布置及隔振措施到精密設備防微振措施等方面獨特的建樹(shù),為集成電路生產(chǎn)提供了一個(gè)優(yōu)良的環(huán)境?？梢哉J為,當今微污染控制領(lǐng)域諸多科技成果的出現無(wú)不與集成電路生產(chǎn)的飛速發(fā)展有關(guān)。
集成電路工廠(chǎng)的前工序(硅片加工)對微環(huán)境控制最為嚴格。在防微振方面,要求工廠(chǎng)建造在遠離鐵路、機場(chǎng)、公路干線(xiàn)且綠化較好的地區,廠(chǎng)區總平面布置要求單建的動(dòng)力站房與潔凈廠(chǎng)房之間留有足夠的距離。
我國對防微振的研究及工程實(shí)踐始于20世紀60年代初期,經(jīng)歷了幾代人的努力,不僅建立和完善了防微振理論,開(kāi)發(fā)了防微振用系列化隔振產(chǎn)品,還進(jìn)行了大量的工程實(shí)踐,成功地解決了彩色膠片涂布、慣導系統測試、集成電路光刻工序、空間光學(xué)系統檢測、激光實(shí)驗、超薄金屬軋制、文物保護等方面的防微振同題,為我國現代化科技的發(fā)展做出了貢獻。
隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展、進(jìn)步,防微振技術(shù)必須不斷地探索、提高和深化,這將是歷史的必然。而解決好防微振技術(shù),應重點(diǎn)考慮以下幾個(gè)方面。
微振動(dòng)控制值的確定;
場(chǎng)地選擇及微振動(dòng)測試與分析；
防微振工程設計程序；
防微振工程設計。